时间：2025/6/21 3:04:49
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HH21N560G101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高效率并减少能量损耗。
其主要用途包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等电力电子应用领域。
最大漏源电压：560V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：0.07Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
总功耗：20W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
HH21N560G101CT 的核心优势在于其高耐压能力和低导通电阻。这使得该器件非常适合需要承受高电压同时追求高效能的应用场景。
以下是具体特点：
- 高击穿电压：560V 的额定漏源电压使其能够在高压环境下稳定运行。
- 低导通电阻：仅为 0.07Ω 的 Rds(on) 可以降低传导损耗，提升系统效率。
- 快速开关性能：较小的栅极电荷（45nC）有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。
- 热稳定性强：支持高达 +150℃ 的结温，确保高温环境下的可靠运行。
- 封装坚固耐用：TO-247 封装提供了良好的散热特性和机械强度。
- 广泛的工作温度范围：从 -55℃ 到 +150℃，适用于各种极端条件下的应用。
HH21N560G101CT 广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
- DC-DC 转换器：在降压、升压或反激式拓扑中充当功率开关。
- 电机驱动：用于控制直流无刷电机或其他类型电机的启动与停止。
- 负载开关：在保护电路中提供过流保护功能。
- UPS 和逆变器：用作功率转换的核心元件。
- 工业自动化设备：如伺服驱动器和机器人控制系统中的功率级部件。
IRFP250N, STP55NF06L, FDP5600
