时间：2025/6/11 15:22:34
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1808N180G302CT 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高效率应用而设计。该器件采用先进的封装技术，具有低寄生电感和优异的热性能，适用于高频开关电源、射频功率放大器以及快速充电器等应用领域。
由于其出色的电气特性和可靠性，1808N180G302CT 成为现代电力电子系统中的关键元件，尤其是在需要高效能转换和小型化设计的应用中。
额定电压：650V
最大漏极电流：180A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率：最高可达5MHz
工作温度范围：-40℃至+150℃
1808N180G302CT 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：额定耐压为650V，能够在高压环境下稳定运行。
2. 极低导通电阻：仅为30mΩ，显著降低了导通损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关速度：支持高达5MHz的工作频率，适合高频应用场景。
4. 高效率：得益于氮化镓材料的优异性能，能够实现更高的能量转换效率。
5. 小型化设计：相比传统硅基器件，体积更小，重量更轻，有助于简化系统布局。
6. 热性能优越：具备良好的散热能力，可承受较高的结温，确保长期可靠性。
1808N180G302CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于提高功率密度和转换效率。
2. 射频功率放大器：在通信基站和雷达系统中提供高功率输出。
3. 快速充电器：支持大功率快充功能，缩短充电时间。
4. 电机驱动：实现高效的电机控制和调速。
5. 新能源汽车：用作车载充电器和DC-DC转换器的核心元件。
6. 工业电源：满足工业设备对高效率和高可靠性的需求。
1808N180G202CT, 1808N150G302CT
