时间：2025/7/10 20:27:26
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GMC04CG150J50NT是一款基于硅技术制造的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型场效应晶体管。它主要适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场景。
该器件通过优化的工艺设计，具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够显著降低功耗并提升系统效率。同时，其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.04Ω
栅极电荷：38nC
总电容：1250pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GMC04CG150J50NT具有高耐压性能，可以承受高达650V的漏源电压，从而在高压应用中表现优异。
其低导通电阻特性有助于减少传导损耗，进而提高整体系统的能效。
此外，该器件还拥有较快的开关速度，这得益于较小的栅极电荷值，可有效降低开关损耗。
工作温度范围广泛，适应从极端寒冷到高温的工作环境，确保了其在各种工业和汽车应用中的可靠性。
该芯片采用无铅材料制造，符合RoHS标准，体现了环保设计理念。
GMC04CG150J50NT广泛应用于各类电力电子领域，例如开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车控制器及家用电器中的电机驱动部分。
由于其出色的电气特性和热性能，这款器件也特别适合要求高效能与可靠性的工业自动化设备。
同时，在需要频繁开关操作的应用场景下，如LED照明驱动和电池管理系统中，也能发挥重要作用。
GMC04CG150J50NTR,
GMC04CG150J50NTE,
GMC04CG150J50NTL
