类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω（最大）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：180W

IXTH15N60A 的核心特性之一是其高耐压能力，漏源电压额定值为 600V，使其适用于高电压功率转换应用。其导通电阻较低（最大 0.42Ω），有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（180W），可在高负载条件下稳定运行。
　　该器件采用了先进的平面技术，提供了良好的雪崩能量耐受能力，使其在高能量开关条件下具有更高的可靠性和耐用性。此外，IXTH15N60A 的栅极电压范围为 ±20V，提供了良好的驱动兼容性，适用于多种驱动电路设计。
　　在封装方面，该 MOSFET 使用 TO-247 封装形式，便于散热和安装，适合高功率密度设计。同时，其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，可在各种工业和恶劣环境中稳定工作。

IXTH15N60A 主要应用于需要高电压和高功率开关能力的电路中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）系统、照明镇流器以及工业自动化控制系统等。由于其良好的导通特性和高可靠性，该器件也常用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统中的功率转换模块。此外，在消费类电子产品中，如高性能电源适配器和LED驱动电源中也有广泛应用。

STP15N60M5, FQA15N60C, IRFP4668