时间：2025/6/18 11:36:54
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HH18N1R5C500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高效率应用场景设计。该型号适用于射频功率放大器、通信系统、雷达以及其他需要高性能输出的应用。其封装形式采用贴片式，便于表面贴装工艺。HH18N1R5C500CT 提供了卓越的增益性能、低噪声系数以及出色的线性度。
最大漏极电流：2.5A
击穿电压：100V
栅极-源极电压：±8V
工作频率范围：DC~50GHz
导通电阻：约150mΩ
热阻：约1°C/W
封装形式：贴片式
HH18N1R5C500CT 的主要特点是利用了氮化镓材料的优异特性，具有高击穿电压和低导通电阻，从而实现了更高的功率密度和效率。同时，它还具备以下特性：
1. 高频率响应：支持高达 50GHz 的工作频率，非常适合射频和微波应用。
2. 热管理能力：较低的热阻有助于提升散热性能，保证在高温环境下的稳定性。
3. 小型化设计：贴片式封装使得其适合现代紧凑型设备的设计需求。
4. 高可靠性和耐用性：采用了先进的制造工艺，确保产品在恶劣条件下仍能保持稳定运行。
HH18N1R5C500CT 广泛应用于射频功率放大器、无线通信基站、卫星通信系统、雷达系统以及测试与测量设备中。由于其卓越的高频性能和功率效率，也常被用于新一代 5G 基础设施建设和相关终端产品的开发。此外，它还可用于工业领域中的高功率射频负载和能量传输系统。
HH18N1R5C600CT, HH18N1R5C700CT
