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FLNR30ID 发布时间 时间:2025/7/30 17:22:10 查看 阅读:42

FLNR30ID 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款晶体管专为需要高效率和高性能的功率转换应用而设计。FLNR30ID 采用先进的沟槽栅极技术,提供较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关性能,使其在高频率和高效率应用中表现出色。该器件通常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统等场景。

参数

类型: N 沟道
  漏极电流 (Id): 60A
  漏极-源极电压 (Vds): 30V
  栅极-源极电压 (Vgs): ±20V
  导通电阻 (Rds(on)): 5.5mΩ(典型值)
  最大功耗: 125W
  工作温度范围: -55°C 至 150°C
  封装类型: PowerFLAT 5x6

特性

FLNR30ID 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体效率。这种低 Rds(on) 特性使其非常适合用于高电流应用,如 DC-DC 转换器和电源管理系统。
  此外,FLNR30ID 具有快速的开关性能,能够在高频下运行而不会显著增加开关损耗。这对于提高电源系统的效率和减小磁性元件的尺寸非常有帮助。
  该器件采用 PowerFLAT 5x6 封装,这是一种表面贴装封装,具有良好的热性能和机械稳定性。这种封装有助于实现高密度 PCB 布局,并提供良好的散热性能。
  FLNR30ID 还具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在短时间的过载或瞬态条件下保持稳定运行。这种特性使得它在一些对可靠性要求较高的应用场景中表现优异。
  由于其良好的热稳定性和高电流处理能力,FLNR30ID 在负载开关和电机控制应用中也表现出色。它可以有效地控制高电流负载,同时保持较低的功耗。

应用

FLNR30ID 主要用于需要高效率和高可靠性的功率转换应用,如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关等。
  在电源管理领域,FLNR30ID 常用于服务器、电信设备和工业控制系统的电源模块中。它的低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换的理想选择。
  此外,该器件也广泛应用于电机控制和电源分配系统中,用于实现高效的功率调节和负载管理。其快速开关特性使其适用于高频率操作,从而减小磁性元件的尺寸并提高系统效率。
  在汽车电子领域,FLNR30ID 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块等应用中。其高可靠性和热稳定性使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。

替代型号

IRF3710, FDP3710, FQA30N30, FDS4410, FDS6680