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TEVB0R3V05B1X 发布时间 时间:2025/7/7 17:03:07 查看 阅读:18

TEVB0R3V05B1X 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该芯片具有高效率、高频率和高功率密度的特点,适用于工业和消费类电子设备中的高性能电力系统。
  其内部集成了增强型GaN FET和驱动电路,能够显著降低开关损耗,并简化设计复杂度,同时支持高频PWM控制,有助于减小无源元件的体积,从而实现更紧凑的解决方案。

参数

型号:TEVB0R3V05B1X
  工作电压:4.5V - 20V
  额定电流:3A
  最大开关频率:5MHz
  Rds(on):30mΩ
  栅极电荷:10nC
  封装形式:QFN-8
  工作温度范围:-40℃ to +125℃

特性

TEVB0R3V05B1X 提供了卓越的性能和可靠性,主要特性包括:
  1. 高效的氮化镓晶体管结构,减少导通和开关损耗。
  2. 内置优化的驱动电路,确保快速且稳定的开关动作。
  3. 支持高达5MHz的开关频率,适合高频应用需求。
  4. 小型QFN-8封装,节省PCB空间。
  5. 宽工作电压范围,适应多种输入条件。
  6. 低栅极电荷和导通电阻,提升整体能效。
  7. 工作温度范围广,适用于恶劣环境下的稳定运行。

应用

TEVB0R3V05B1X 广泛用于需要高效功率转换和小型化的场景,典型应用包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)。
  2. 高频DC-DC转换器。
  3. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
  4. 工业设备中的电源模块。
  5. LED照明驱动电路。
  6. 电机驱动和控制单元。
  7. 便携式设备的电池管理系统。

替代型号

TUVB0R3V05B1X
  TEVB0R3V06B1X
  GAN041-650WSA

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