时间：2025/7/8 21:16:32
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DMC3036LSD-13是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用DPAK封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点，适合用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管，通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态。其出色的电气性能使其成为众多功率转换和控制应用的理想选择。
型号：DMC3036LSD-13
类型：N沟道MOSFET
封装：DPAK（SMD）
VDS（漏源击穿电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：3.6mΩ
ID（连续漏极电流）：36A
VGSS（栅源电压范围）：±20V
fT（特征频率）：1.8MHz
Qg（总栅极电荷）：25nC
EAS（雪崩能量）：290mJ
工作温度范围：-55℃至+175℃
DMC3036LSD-13具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可以有效降低传导损耗，提高效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用。
3. 高电流承载能力，可满足大功率应用场景的需求。
4. 优秀的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
5. 具备雪崩保护功能，增强了器件在异常条件下的耐用性。
6. 小巧的表面贴装封装，便于自动化生产和设计集成。
这些特点使得DMC3036LSD-13在各类高效能电力电子设备中表现出色。
DMC3036LSD-13适用于以下主要应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各类DC-DC转换器，包括降压、升压及反激式拓扑结构。
3. 汽车电子系统中的负载切换和电机控制。
4. 工业设备中的逆变器和变频器。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. LED驱动电路以及其他需要高效功率转换的应用。
由于其卓越的电气特性和可靠性，DMC3036LSD-13成为了许多工程师在设计高效能功率系统时的首选器件。
DMC3035LSD-13, IRF3710TRPBF, FDP5510N
