型号：FMP20N50ES
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　连续漏极电流(Id)：20A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(Idm)：80A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：0.19Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：3V ~ 5V
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容(Ciss)：1400pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：170pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(Trr)：65ns
　　封装形式：TO-220F

FMP20N50ES具备优异的开关性能和导通特性，这主要归功于其先进的平面MOSFET制造工艺。该器件在高电压应用中实现了低导通电阻（Rds(on)），典型值仅为0.19Ω，在Vgs=10V条件下可显著降低导通损耗，从而提升电源系统的整体效率。这一特性对于需要长时间连续工作的开关电源尤为重要，能够有效减少发热并延长系统寿命。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为60nC，这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于实现高频开关操作，同时降低了驱动IC的负担，提高了系统的响应速度和动态性能。
　　另一个关键优势是其出色的热稳定性。FMP20N50ES的最大结温可达150℃，能够在高温环境中稳定运行，适合用于密闭或通风不良的电源模块中。其TO-220F封装不仅提供了良好的散热路径，还具备较高的绝缘性能，适用于需要电气隔离的应用场景。该封装便于安装散热片，进一步增强了热管理能力。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够承受一定的过压和过流冲击，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（Trr≈65ns），可在续流过程中减少反向恢复电流尖峰，抑制电磁干扰（EMI）的产生，从而简化滤波电路设计。此外，FMP20N50ES对dv/dt和di/dt瞬变具有良好的耐受性，有助于防止误触发和器件损坏。
　　在可靠性方面，该MOSFET经过严格的生产测试和质量控制流程，符合AEC-Q101等可靠性标准（视具体批次而定），并满足无铅和RoHS环保要求。其稳定的参数一致性使得在批量生产中无需额外筛选即可直接使用，降低了制造成本和供应链复杂度。综合来看，FMP20N50ES是一款兼具高性能、高可靠性和良好性价比的中高压功率MOSFET，适用于多种中等功率开关电源拓扑结构。

FMP20N50ES广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合需要高效能和高可靠性的电力转换场合。其典型应用包括通用离线式开关电源（SMPS），如适配器、充电器和PC电源单元，其中它常被用作主开关管，负责将整流后的高压直流电进行高频斩波，以实现高效的能量传递。在AC-DC转换器中，该器件凭借其500V的高耐压能力和低导通电阻，能够在宽输入电压范围内稳定工作，适应全球不同地区的电网电压标准。
　　此外，FMP20N50ES也常用于DC-DC变换器拓扑，例如正激式（Forward）、反激式（Flyback）和半桥（Half-Bridge）结构中，作为功率开关元件参与能量传输与调节。在这些应用中，其快速开关特性和低栅极驱动需求有助于提升转换效率并减小磁性元件体积，进而实现电源小型化。
　　照明领域也是其重要应用场景之一，特别是在电子镇流器和LED驱动电源中。FMP20N50ES可用于驱动荧光灯或大功率LED阵列，提供稳定且高效的电流控制。其内置快恢复体二极管减少了对外部续流二极管的依赖，简化了电路设计。
　　工业控制设备中的电机驱动、逆变器和UPS不间断电源系统同样会采用该器件，因其具备良好的过载能力和温度稳定性，能在恶劣环境下持续运行。此外，它还可用于太阳能微逆变器、电池管理系统（BMS）中的充放电控制模块以及其他需要高压开关功能的嵌入式电力电子装置。总的来说，FMP20N50ES是一款多功能、高适应性的功率MOSFET，覆盖了从消费电子到工业设备的广泛应用场景。

FPF20N50ES
　　STP20N50U
　　K20N50
　　20N50S