时间：2025/8/1 17:00:43
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CS4N65A3HD1-G是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和转换应用。该MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高可靠性，适用于各种高功率密度和高效能的系统。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：15nC
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散（Pd）：50W
CS4N65A3HD1-G具有多项优异的电气特性，能够满足高可靠性应用的需求。其高耐压能力（650V）使其适用于高电压系统，如开关电源（SMPS）和LED照明驱动器。该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，其TO-220封装提供了良好的散热性能，适合在高功率密度的环境中使用。
该器件还具备较高的抗雪崩能力，增强了在极端条件下的稳定性。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关应用。CS4N65A3HD1-G在工业控制、电源供应器、电机驱动和消费类电子产品中均有广泛应用。
其封装设计符合RoHS环保标准，确保了环境友好性，同时具备良好的机械强度和耐腐蚀性，适用于各种严苛的工作环境。
CS4N65A3HD1-G广泛应用于开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制、工业自动化设备、电池充电器、逆变器和DC-DC转换器等电力电子系统。其高可靠性和高效能特性使其成为工业和消费类电子产品中不可或缺的关键元件。
FQP4N65C, STP4NK65Z, IRF740, 2SK2545
