型号：B3P7-VH(LF)(SN)
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装/包：SS-MINI（SOT-765）
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（ID_pulse）：-4.5A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = -4.5V：45mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = -2.5V：60mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = -1.8V：90mΩ
　　阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：约 230pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻 RθJA：约 250°C/W
　　热阻 RθJC：约 90°C/W
　　极性：P-Channel
　　安装类型：表面贴装
　　无铅：是
　　卤素自由：是

B3P7-VH(LF)(SN) 具备优异的电气性能和封装紧凑性，使其在现代低功耗电子系统中表现出色。
　　首先，该器件为P沟道结构，额定漏源电压为-20V，能够安全地用于常见的3.3V或5V电源轨下的开关控制。其关键优势在于低导通电阻，在VGS = -4.5V时最大RDS(on)仅为45mΩ，而在更低的-2.5V栅压下仍可保持60mΩ以下，这意味着即使在电池电压下降的情况下也能维持较高的效率，减少功率损耗和发热。
　　其次，该MOSFET支持逻辑电平驱动，可在-1.8V甚至更低的栅源电压下有效导通，因此非常适合与微控制器、FPGA或其他数字IC的I/O引脚直接连接，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并节省PCB空间。
　　此外，器件采用ROHM的先进沟槽式MOSFET工艺制造，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力。结合仅230pF的输入电容，使得开关速度较快，动态响应良好，适用于需要频繁启停的负载开关或热插拔保护应用。
　　热性能方面，尽管封装小巧（SS-MINI），但通过合理的PCB布局（如增加铜箔散热区），可有效管理功耗。其高达150°C的最大结温允许在较严苛的环境条件下稳定运行。
　　最后，该产品符合RoHS和无卤素标准，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求，适用于出口型及工业级认证产品设计。整体而言，B3P7-VH(LF)(SN) 在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡。

B3P7-VH(LF)(SN) 主要应用于对空间和能效有严格要求的便携式电子设备。
　　典型用途包括作为负载开关用于控制不同功能模块的电源通断，例如在智能手机中用于显示屏背光、摄像头模组或传感器的供电管理，以延长电池续航时间。它也可用于电池供电系统的电源路径管理，配合充电IC实现充放电隔离或备用电源切换。
　　在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机中，该器件可用于主处理器或无线模块的上电时序控制，避免启动冲击电流影响系统稳定性。同时，由于其快速开关特性和低静态功耗，也适合作为热插拔保护开关，防止带电插拔引起的瞬态损坏。
　　在消费类电子产品如平板电脑、电子书阅读器中，B3P7-VH(LF)(SN) 常被用于SD卡、USB接口或外设接口的电源开关，提供过流和短路保护功能。此外，还可用于DC-DC转换器的同步整流辅助电路或小功率反向电流阻断电路。
　　得益于其小尺寸SS-MINI封装，该器件特别适合高密度SMT组装工艺，有助于缩小终端产品的体积，提升集成度。因此，广泛服务于移动通信、物联网节点、智能家居终端和便携医疗设备等领域。