时间：2025/12/29 14:25:58
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HGTD8P50G1 是一款由东芝（Toshiba）生产的高功率双极晶体管（HBT, High Power Bipolar Transistor），适用于高功率开关和放大电路。该器件采用了先进的硅双极工艺，具有较高的功率处理能力、优异的热稳定性和较长的使用寿命。HGTD8P50G1广泛用于工业电源、电机驱动、UPS系统以及电力电子变换器等领域。
类型：NPN型双极晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：500V
最大集电极电流（IC）：8A
最大耗散功率（PD）：100W
增益（hFE）：约8000 @ IC=4A, VCE=5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
HGTD8P50G1 具备出色的电流放大能力和高耐压特性，适用于高功率应用场景。该晶体管采用了高增益设计，使其在较低的基极电流驱动下即可实现较大的集电极电流输出，提高了系统的效率。
此外，HGTD8P50G1具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-247封装形式有助于提高散热效率，延长器件使用寿命。
该晶体管的高可靠性和稳定性使其成为工业控制、电源转换、电机控制和电力电子设备中的理想选择。
HGTD8P50G1 主要用于需要高功率输出的电路中，如开关电源、电机驱动器、UPS不间断电源、逆变器、功率放大器和工业自动化控制系统等。其高耐压和高电流承载能力使其在高压直流控制和功率开关电路中表现出色。
2SC5200, MJ15003G, 2SD1456
