时间：2025/5/12 20:12:38
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HGK3DF682MA3BW(2KV682M)是一种高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能等特性。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，其额定电压为2kV，具有较高的耐压能力，适合在高压环境中使用。同时，HGK3DF682MA3BW还提供了出色的电流处理能力和较低的开关损耗，使其成为工业和消费电子领域中的理想选择。
额定电压：2000V
额定电流：14A
导通电阻：0.7Ω
栅极电荷：45nC
最大功耗：250W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高额定电压（2kV），适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)）0.7Ω，在大电流应用中降低功耗。
3. 快速开关特性，减少开关过程中的能量损失。
4. 优异的热稳定性和可靠性设计，确保长时间运行。
5. 提供卓越的抗电磁干扰能力，减少系统噪声影响。
6. 小型化封装设计，节省PCB空间，提升整体设计灵活性。
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IRFP460, STP200NF20, FQA14P12ME
