时间：2025/5/8 17:39:33
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DMN4035L是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用DFN3030-8封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。它在便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制领域中表现优异。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.1A
导通电阻：25mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：49pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
DMN4035L具备卓越的电气性能，包括低导通电阻以减少功率损耗，从而提高效率。
其小型DFN3030-8封装适合空间受限的设计，并且可以承受较高的结温，增强了系统的可靠性。
此外，该MOSFET具有快速开关能力，有助于降低开关损耗，非常适合高频开关应用。此器件还支持严格的ESD保护标准，确保更高的抗静电能力。
由于其出色的热特性和电学性能，DMN4035L成为电池管理、负载开关、电机驱动等应用的理想选择。
该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动、USB充电端口保护及各类便携式电子设备中。
例如，在手机和平板电脑等移动设备中，DMN4035L可以用作高效能的电源开关；在计算机外设和网络通信设备中，也可以用作信号切换或电源路径管理组件。
DMN4035UF, DMN4035UFG, FDS6680
