时间：2025/8/6 3:04:55
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IXTQ36N60P是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，适用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET采用了先进的硅技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的开关性能，使其在功率转换设备中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：36A
最大漏-源电压（Vds）：600V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
功率耗散（Ptot）：200W
封装类型：TO-247
IXTQ36N60P具备多项优异特性，适用于高功率应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件的高漏极电流容量（36A）和600V的漏-源电压使其适用于高功率开关应用。此外，该MOSFET的200W功率耗散能力确保了在高负载条件下的稳定运行。该器件采用TO-247封装，散热性能良好，适合高功率密度设计。
该MOSFET的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅极电压范围内稳定工作。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，提高了系统效率。这些特性使IXTQ36N60P成为电源转换器、电机控制、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备等应用的理想选择。
IXTQ36N60P广泛应用于多种高功率电子设备中。常见的应用包括电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动电路、工业控制系统以及太阳能逆变器。由于其高效率和高可靠性，该MOSFET也常用于汽车电子系统和电力电子设备中。
STW34NB20, IRFP460, FDPF460
