AUR6110GH 时间：2025/12/26 12:56:56 阅读：17

AUR6110GH是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的高性能、高可靠性汽车级N沟道功率MOSFET，专为满足严苛的车载应用环境而设计。该器件采用先进的TrenchFET技术制造，能够在低电压控制条件下实现极低的导通电阻和优异的开关性能，从而显著提升系统效率并降低功耗。作为符合AEC-Q101标准的汽车级元件，AUR6110GH在可靠性、温度耐受性和长期稳定性方面均经过严格验证，适用于各类车载电源管理与功率转换场景。其封装形式为PQFN 3.3x3.3，具备优良的热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。该MOSFET广泛应用于车载信息娱乐系统、车身电子控制单元（ECU）、LED照明驱动、DC-DC转换器以及电池管理系统等关键模块中，能够有效应对车辆运行过程中可能出现的振动、温度波动和电磁干扰等挑战。此外，AUR6110GH还具备出色的雪崩能量耐受能力和抗短路能力，进一步增强了系统的安全性和鲁棒性。

参数

型号：AUR6110GH
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：100A
　　脉冲漏极电流(IDM)：320A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：1.8mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：2.4mΩ
　　阈值电压(Vth)典型值：1.5V
　　输入电容(Ciss)@1MHz：4070pF
　　输出电容(Coss)：1420pF
　　反向恢复时间(trr)：19ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PQFN 3.3x3.3

特性

AUR6110GH的核心特性之一是其基于先进TrenchFET工艺实现的超低导通电阻，在VGS=10V时RDS(on)仅为1.8mΩ，而在较低驱动电压4.5V下也能保持2.4mΩ的优异水平。这种低RDS(on)特性极大降低了导通损耗，特别适用于大电流应用场景，如车载DC-DC变换器和电机驱动电路，有助于提高整体能效并减少散热需求。该器件的高电流承载能力——连续漏极电流可达100A（25°C），脉冲电流高达320A——使其能够胜任瞬态负载突变下的稳定工作。
　　另一个关键特性是其全面符合AEC-Q101汽车级认证标准，确保了器件在极端温度（-55°C至+175°C结温）和恶劣电磁环境下仍能可靠运行。这包括通过高温反向偏置测试（HTRB）、高温栅极偏置测试（HTGB）、温度循环测试（TC）等多项可靠性验证，保障了其在汽车生命周期内的长期稳定性。同时，器件具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在意外电压尖峰或电感负载关断过程中吸收能量而不损坏，提升了系统的故障容忍度。
　　AUR6110GH采用PQFN 3.3x3.3封装，具有低热阻（RθJC ≈ 0.7°C/W）和优异的散热性能，支持双面散热设计，有利于在紧凑空间内实现高效热管理。该封装无铅且符合RoHS环保要求，同时也减少了寄生电感，有助于提升高频开关表现。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为60nC（@VGS=10V），使得驱动电路设计更为简单，驱动损耗更低，适用于高频开关电源拓扑结构。此外，较短的反向恢复时间（trr=19ns）意味着体二极管响应迅速，可减少交叉导通风险，尤其在同步整流应用中表现出色。

应用

AUR6110GH主要面向汽车电子领域中的高效率功率转换与控制应用。其典型应用场景包括车载DC-DC降压或升压转换器，用于将12V或48V车载电源高效转换为处理器、传感器或通信模块所需的低压供电，例如在ADAS系统或车载信息娱乐主机中作为主开关管使用。此外，它也广泛应用于车载LED照明驱动电路，特别是在大功率前大灯或尾灯调光系统中，凭借其低导通电阻和高电流能力，能够实现精准的电流调节和高效的能量利用。
　　在电机驱动方面，AUR6110GH可用于车窗升降器、座椅调节、风扇或水泵等中小功率直流电机的H桥或半桥驱动电路，提供快速响应和低功耗控制。其高抗扰能力和宽温度范围适应性使其在发动机舱附近的电子控制单元（ECU）中表现稳定，即使在高温环境下也能维持良好性能。电池管理系统（BMS）中的充放电开关或均衡电路也是其重要应用方向，能够承受频繁的开关操作和瞬态过流冲击。
　　此外，该器件还可用于车载逆变器、电源分配模块以及各类车载电源插座（如点烟器接口）的过流保护与开关控制。由于其具备良好的EMI性能和抗噪声能力，适合在复杂的车载电磁环境中长期运行。对于需要功能安全等级（如ISO 26262）认证的设计，AUR6110GH的高可靠性也为系统级安全提供了硬件基础支撑。