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DMP3018SSS-13 发布时间 时间:2025/8/2 7:17:48 查看 阅读:16

DMP3018SSS-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性。该器件采用 SOT-223 封装,适合中等功率应用。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):-3A
  最大漏源电压(VDS):-20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  导通电阻(RDS(on)):38mΩ @ VGS = -4.5V,60mΩ @ VGS = -2.5V
  栅极电荷(Qg):12nC @ VGS = -10V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装:SOT-223

特性

DMP3018SSS-13 具备多项关键特性,使其在众多功率管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流条件下较低的导通损耗,提高了整体效率。在 VGS = -4.5V 时,RDS(on) 仅为 38mΩ,而在更低的栅极电压(如 -2.5V)下,RDS(on) 为 60mΩ,这使得该器件适用于多种栅极驱动电压环境。
  其次,该 MOSFET 的最大漏极电流为 -3A,最大漏源电压为 -20V,能够在中等功率负载下稳定运行。其栅极电荷(Qg)为 12nC(在 VGS = -10V 时),意味着该器件在开关过程中所需的驱动功率较低,有助于提高开关速度并减少开关损耗。
  此外,DMP3018SSS-13 采用先进的沟槽技术,优化了导通特性和热性能,确保在高负载条件下仍能保持良好的散热能力。SOT-223 封装形式具有较好的热管理能力,适用于表面贴装工艺,便于在 PCB 上安装。
  该器件还具备良好的稳定性和可靠性,适用于电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器以及电机控制等应用场景。其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其能够在恶劣环境下正常工作。

应用

DMP3018SSS-13 常用于以下应用领域:
  1. 电池供电设备中的负载开关控制,如便携式电子产品、笔记本电脑和移动电源。
  2. DC-DC 转换器和同步整流电路,用于提高转换效率。
  3. 电机驱动电路和电源管理系统,用于中小型功率控制。
  4. 服务器、路由器和网络设备中的电源管理模块。
  5. 用于电源路径管理的热插拔控制系统。

替代型号

Si4405BDY, IRML6401, AO4406A, NDS351AN

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DMP3018SSS-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥5.25000剪切带(CT)2,500 : ¥2.04188卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10.5A(Ta),25A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 11.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)57 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2714 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SO
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)