DMP3018SSS-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性。该器件采用 SOT-223 封装,适合中等功率应用。
类型:P 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):-3A
最大漏源电压(VDS):-20V
最大栅源电压(VGS):±12V
导通电阻(RDS(on)):38mΩ @ VGS = -4.5V,60mΩ @ VGS = -2.5V
栅极电荷(Qg):12nC @ VGS = -10V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装:SOT-223
DMP3018SSS-13 具备多项关键特性,使其在众多功率管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流条件下较低的导通损耗,提高了整体效率。在 VGS = -4.5V 时,RDS(on) 仅为 38mΩ,而在更低的栅极电压(如 -2.5V)下,RDS(on) 为 60mΩ,这使得该器件适用于多种栅极驱动电压环境。
其次,该 MOSFET 的最大漏极电流为 -3A,最大漏源电压为 -20V,能够在中等功率负载下稳定运行。其栅极电荷(Qg)为 12nC(在 VGS = -10V 时),意味着该器件在开关过程中所需的驱动功率较低,有助于提高开关速度并减少开关损耗。
此外,DMP3018SSS-13 采用先进的沟槽技术,优化了导通特性和热性能,确保在高负载条件下仍能保持良好的散热能力。SOT-223 封装形式具有较好的热管理能力,适用于表面贴装工艺,便于在 PCB 上安装。
该器件还具备良好的稳定性和可靠性,适用于电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器以及电机控制等应用场景。其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其能够在恶劣环境下正常工作。
DMP3018SSS-13 常用于以下应用领域:
1. 电池供电设备中的负载开关控制,如便携式电子产品、笔记本电脑和移动电源。
2. DC-DC 转换器和同步整流电路,用于提高转换效率。
3. 电机驱动电路和电源管理系统,用于中小型功率控制。
4. 服务器、路由器和网络设备中的电源管理模块。
5. 用于电源路径管理的热插拔控制系统。
Si4405BDY, IRML6401, AO4406A, NDS351AN