RF2516PCK是一款由Renesas(原Intersil)设计制造的射频功率放大器集成电路(RF Power Amplifier IC),专为无线通信系统中的高功率放大需求而设计。该器件采用先进的HEMT(高电子迁移率晶体管)工艺制造,具有高线性度、高效率和优异的热稳定性。RF2516PCK工作频率范围覆盖从DC到6 GHz,适用于多种无线通信标准,如Wi-Fi、WiMAX、蜂窝网络和数字广播等应用。其封装形式为紧凑型表面贴装封装(SMD),便于在现代射频模块和通信设备中集成。
工作频率范围:DC 至 6 GHz
输出功率:典型值为32 dBm(在2.4 GHz时)
增益:25 dB(典型值)
电源电压:+5V 至 +12V 可调
电流消耗:典型值为300 mA(@ +12V)
效率(PAE):> 35%
输入/输出阻抗:50Ω
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF2516PCK具有多项优异的性能特点,首先其宽频带设计使其能够覆盖从DC到6 GHz的广泛频率范围,适用于多频段或多标准通信系统。其次,该功率放大器采用了先进的HEMT技术,具备高功率密度、高增益和低失真特性,能够满足高线性度要求的数字调制信号放大需求。
该器件的高效率(PAE)超过35%,在保持高性能的同时降低了功耗,提高了系统整体能效。此外,RF2516PCK内置热保护和过流保护功能,确保在高功率工作状态下的稳定性和可靠性,适用于长时间连续工作的通信设备。
RF2516PCK的封装形式为小型化SMD封装,便于自动化生产与高密度布局,适用于无线基站、中继器、测试仪器、军事通信等多种应用场景。
RF2516PCK广泛应用于各类射频和微波通信系统中,主要包括:Wi-Fi 5/6接入点、WiMAX基站、蜂窝通信(如GSM、WCDMA、LTE)、数字地面广播(DVB-T)、射频测试设备、无人机通信链路、工业无线传感器网络以及军用通信设备等。其高线性度和宽频带特性使其在多标准通信平台中具有很高的灵活性。
HMC414LP5E, RFPA2013, AFT05HP0040, RF2517PCK