时间：2025/12/28 17:00:08
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TX26D31VC1CAA 是一款由东芝（Toshiba）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高频率开关应用和功率放大器中。该器件采用先进的半导体技术，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，适用于各种工业、消费类和汽车电子设备。TX26D31VC1CAA 通常封装在SOP（小外形封装）或类似的表面贴装封装中，便于自动化生产和PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：5.0A（最大值）
导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：2.0W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOP
TX26D31VC1CAA 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优异的导通特性和快速的开关响应。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作时的功率损耗最小化，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，能够在不同的控制电路中灵活应用。由于采用了先进的硅工艺技术，TX26D31VC1CAA 在高频工作条件下表现出色，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统等应用。其SOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的热管理和电气性能，适用于高密度电路设计。此外，该器件具备较高的可靠性和稳定性，能够在严苛的工作环境下保持良好的性能。
TX26D31VC1CAA 广泛应用于多种电子设备和系统中，包括但不限于电源管理模块、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制电路、LED驱动器以及工业自动化设备中的功率开关。其优异的电气特性和封装设计使其在高频开关应用中表现突出，适合对效率和空间有较高要求的设计。
TPH3R30ANL, SiSS26DN, FDS6680, IPB013N04NG
