HFS5N50U 时间：2025/12/26 22:36:51 阅读：12

HFS5N50U是一款由安森美（onsemi）生产的高压MOSFET晶体管，属于超级结MOSFET系列，专为高效率、高电压开关应用设计。该器件采用先进的平面DMOS技术制造，具备优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rdson × Qg），使其在硬开关和软开关拓扑中表现出色。HFS5N50U的额定电压为500V，连续漏极电流可达4.8A（在25°C条件下），适用于需要高能效和高可靠性的电源系统。该MOSFET常用于AC-DC转换器、离线式开关电源（SMPS）、LED照明驱动电源、适配器以及待机电源等应用场合。
　　该器件封装形式为TO-220FP，具有良好的热性能和电气隔离能力，适合穿心固定于散热片上，以提升散热效率。HFS5N50U内部结构优化了电场分布，降低了开关损耗，并提高了dv/dt抗扰能力，有助于减少电磁干扰（EMI）。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，广泛应用于绿色能源和节能电子产品中。其坚固的设计也使其在高温、高湿和高电压应力环境下仍能保持稳定运行。

参数

型号：HFS5N50U
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：4.8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：19A
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=10V）：2.0Ω
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=5V）：2.3Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：37nC
　　输入电容（Ciss）：600pF
　　输出电容（Coss）：120pF
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　最大功耗（Pd）：60W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

HFS5N50U采用了安森美独有的超级结（SuperFET）技术，该技术通过在漂移区引入交替的P型和N型柱状结构，显著降低了导通电阻同时保持高击穿电压，从而实现卓越的功率密度和效率。这种结构有效减少了Rdson × A（单位面积导通电阻），使得器件在高电压应用中仍能保持较低的导通损耗。此外，该MOSFET具备低栅极电荷（Qg）特性，意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，进而降低开关损耗并提高整体系统效率，特别适用于高频开关电源设计。
　　该器件还具备出色的热稳定性与长期可靠性。其TO-220FP封装具有较低的热阻（Rth(j-c)约2.5°C/W），能够有效将芯片热量传导至外部散热器，防止因温升过高导致性能下降或失效。HFS5N50U的雪崩能量承受能力强，能够在瞬态过压条件下安全运行，提升了系统的鲁棒性。其内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr ≈ 30ns），有助于减少反向恢复引起的尖峰电压和EMI问题，尤其在LLC谐振转换器或有源钳位电路中表现优异。
　　此外，HFS5N50U的制造过程遵循严格的品质控制标准，确保批次一致性与高良率。器件通过了AEC-Q101认证的部分测试项目，表明其具备一定的汽车级可靠性潜力。其引脚配置符合工业通用标准，便于PCB布局与自动化装配。由于其高性能参数组合，HFS5N50U在替代传统MOSFET时可实现更高的功率密度和更低的温升，是现代高效电源设计中的理想选择之一。

应用

HFS5N50U广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在要求高效率和高可靠性的场景下表现突出。典型应用包括50W至200W范围内的离线式反激变换器（Flyback Converter），常用于笔记本电脑适配器、电视电源、游戏机电源等消费类电子设备的主电源或辅助电源模块。由于其500V耐压等级和良好的动态特性，该器件也适用于PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管，特别是在临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）PFC拓扑中，能够有效降低损耗并提升系统PF值。
　　在LED照明领域，HFS5N50U可用于大功率LED恒流驱动电源，尤其是户外路灯、工业照明等需要长寿命和高效率的场合。其低导通电阻和良好热性能有助于减少发热，延长灯具使用寿命。此外，该器件也可用于待机电源（Standby Supply）设计，在主电源关闭时仍能维持微功耗运行，满足能源之星（Energy Star）和DoE VI等能效法规要求。
　　在工业电源和电信整流器中，HFS5N50U可用于DC-DC前级变换或辅助电源供电单元。其高dv/dt抗扰能力和稳定的开关特性有助于提升系统EMI性能，简化滤波电路设计。同时，该器件也可作为电机驱动、逆变器或UPS系统中的低压侧开关元件使用，适用于多种拓扑结构如半桥、全桥或同步整流配置。得益于其成熟的封装工艺和广泛的应用验证，HFS5N50U已成为许多电源工程师在500V段MOSFET选型中的主流选择之一。