型号：30R900UH
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装/外壳：TO-220AB
　　漏源电压 VDS：-30 V
　　栅源电压 VGS：±20 V
　　连续漏极电流 ID：-90 A
　　脉冲漏极电流 IDM：-180 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = -10 V：12.5 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = -4.5 V：17 mΩ
　　栅极电荷 Qg typ：96 nC
　　输入电容 Ciss typ：3400 pF
　　开启延迟时间 td(on) typ：35 ns
　　关断延迟时间 td(off) typ：60 ns
　　反向恢复时间 trr typ：45 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻 RθJC：1.2 °C/W

30R900UH采用先进的沟槽栅极制造工艺，这种结构显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，特别适用于需要高效能转换的应用场景。该器件在VGS = -10V时，最大RDS(on)仅为12.5mΩ，在VGS = -4.5V时也仅为17mΩ，表现出优异的低电压驱动能力，使其能够在较宽的栅极驱动电压范围内稳定工作。这不仅提高了系统的适应性，也允许使用更低电压的控制信号直接驱动，减少了对额外电平转换电路的需求。
　　该MOSFET具备高达-90A的连续漏极电流能力，能够在短时间内承受-180A的脉冲电流，展现出卓越的瞬态负载响应性能，适合用于高功率密度设计中。其较低的栅极电荷（典型值96nC）和输入电容（典型值3400pF）有助于减少开关过程中的能量损耗，提升开关频率下的效率表现。同时，开启延迟时间为35ns，关断延迟时间为60ns，配合45ns的反向恢复时间，确保了快速且干净的开关动作，降低了交叉导通风险，尤其适用于同步整流或半桥拓扑结构。
　　器件的工作结温范围从-55°C到+175°C，体现了出色的热稳定性与环境适应能力，可在极端温度条件下可靠运行。热阻RθJC为1.2°C/W，说明其封装具有良好的散热性能，有利于将内部热量快速传导至散热器或PCB上，避免局部过热导致失效。此外，±20V的栅源电压耐受能力增强了对电压瞬变的抗扰度，提升了系统安全性。整体设计兼顾了电气性能、热管理和长期可靠性，使30R900UH成为工业级高功率开关应用的理想选择之一。

30R900UH广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压或升压转换器，尤其是在大电流输出的设计中发挥关键作用。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于同步整流电路，替代传统肖特基二极管以降低压降和发热，从而提升电源效率。
　　在电机驱动领域，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中作为高端或低端开关元件，控制直流电机或步进电机的正反转与调速。其快速开关特性有助于实现精确的PWM控制，减少换向过程中的能量损失。此外，在电池管理系统（BMS）和便携式电源设备中，30R900UH可作为负载开关或保护开关使用，提供高效的通断控制和过流保护功能。
　　该器件也适用于UPS不间断电源、服务器电源模块、电信设备电源单元以及工业自动化控制系统中的电源管理部分。由于其TO-220封装具备良好的机械强度和散热能力，适合在空间受限但要求高可靠性的环境中部署。同时，其高温工作能力使其能在恶劣工业环境下稳定运行，满足严苛的应用需求。

IRF9Z34N, FQP9N30L, STP90PF55, NDP90P03LZU