UMD3 N TR 时间：2025/11/8 6:34:18 阅读：7

UMD3 N TR是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中的开关和功率控制场景。该器件采用SOT-23封装，是一种小型表面贴装型晶体管，适合在空间受限的PCB设计中使用。由于其优异的电气性能和高可靠性，UMD3 N TR常被用于便携式电子产品、电源管理模块以及信号切换电路中。作为一款通用型MOSFET，它能够在低电压条件下实现高效的导通与关断操作，适用于电池供电系统等对功耗敏感的应用场合。此外，该器件具有良好的热稳定性和抗干扰能力，在工业控制、消费类电子及通信设备中均有广泛应用。
　　UMD3 N TR的制造工艺符合AEC-Q101汽车级认证标准，表明其具备较高的可靠性和耐久性，可用于车载电子系统。同时，产品支持无铅焊接工艺，并符合RoHS环保规范，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。通过优化的晶圆设计和封装技术，这款MOSFET在保持小尺寸的同时实现了较低的导通电阻和快速的开关响应时间，从而提升了整体能效表现。

参数

型号：UMD3 N TR
　　极性：N沟道
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Id_peak)：400mA
　　导通电阻(Rds(on))：6.5Ω @ Vgs=10V, Id=100mA
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：15pF @ Vds=10V, f=1MHz
　　输出电容(Coss)：8pF @ Vds=10V, f=1MHz
　　反向传输电容(Crss)：2.5pf @ Vds=10V, f=1MHz
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

UMD3 N TR具备多项关键特性，使其在同类N沟道MOSFET中表现出色。首先，其60V的漏源电压额定值使其适用于中低压电源系统，例如DC-DC转换器、负载开关或电机驱动电路。该器件能够在Vgs为10V时提供低至6.5Ω的导通电阻，这意味着在导通状态下能量损耗较小，有助于提高系统的整体效率并减少发热问题。对于需要长时间运行或对温升敏感的应用来说，这一点尤为重要。此外，该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.5V，使得它能够兼容多种逻辑电平控制信号，包括3.3V或5V微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可直接驱动，简化了设计复杂度。
　　其次，UMD3 N TR采用了SOT-23小型化封装，不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升组装效率。这种封装形式具有良好的散热性能，结合器件本身较低的功耗，在大多数应用中无需额外散热措施即可稳定工作。输入电容仅为15pF，输出电容为8pF，寄生电容小意味着开关速度更快，特别适合高频开关应用，如脉宽调制(PWM)控制或高速信号切换。反向传输电容(Crss)低至2.5pF，有助于降低米勒效应带来的干扰，提升开关稳定性，防止误触发。
　　再者，该MOSFET的工作结温可达+150°C，支持在高温环境下长期运行，适用于工业级或汽车级应用场景。其符合AEC-Q101标准，证明其经过严格测试，具备出色的抗振动、耐湿热和寿命可靠性，适合部署于严苛环境中。同时，器件支持无铅回流焊工艺，符合现代绿色制造趋势，并满足RoHS指令要求，有利于产品通过环保认证。综合来看，UMD3 N TR凭借其高性能、高可靠性和紧凑封装，成为众多嵌入式系统和功率管理方案中的理想选择。

应用

UMD3 N TR广泛应用于多个领域，包括但不限于便携式电子设备中的电源开关控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路；在消费类电子产品中，用于LED背光驱动、继电器替代或音频信号切换；在工业控制系统中，作为小型继电器或晶体管的替代品，实现无触点开关功能，提高系统寿命和响应速度；此外，也常见于DC-DC转换器、电压调节模块和电机驱动电路中，用于实现高效的能量传输与分配。由于其具备AEC-Q101认证，该器件还可用于汽车电子系统，例如车内照明控制、传感器电源管理或车身控制模块等。其低功耗特性和高集成度也使其适用于物联网(IoT)终端设备和无线传感节点中，支持长时间待机与间歇性工作的需求。