BSS84/DG 时间：2025/6/6 12:34:54 阅读：5

BSS84/DG 是一种常见的 N 沟道小信号场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电路、保护电路以及信号放大等领域。它具有低漏电流、高开关速度和小型封装的特点，非常适合低功率应用。
　　BSS84/DG 采用 SOT-23 封装，这使得它在 PCB 布局中占用较小空间，并且具备良好的散热性能。该器件的典型应用包括电源管理、ESD 保护和负载开关等。

参数

最大漏源电压：50V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：0.15A
　　脉冲漏极电流：0.6A
　　输入电容：17pF
　　导通电阻：350Ω
　　功耗：200mW
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

BSS84/DG 的主要特性如下：
　　1. 极低的反向传输电容使其非常适合高频开关应用。
　　2. 具有出色的 ESD 耐受能力，增强电路保护功能。
　　3. 高 Vgs 容限确保了更广泛的驱动电压范围。
　　4. SOT-23 小型封装设计有助于节省 PCB 空间。
　　5. 低泄漏电流 (<1nA) 提高了电路效率。
　　6. 工作温度范围宽广，适合各种环境条件下的应用。
　　BSS84/DG 还因其可靠性和稳定性而备受青睐，是许多设计中的理想选择。

应用

BSS84/DG 在电子领域有多种应用，主要包括以下方面：
　　1. 开关电路：用于控制小电流负载的通断。
　　2. ESD 保护：在敏感电子设备中提供静电放电防护。
　　3. 信号放大：作为小信号 MOSFET 放大器的一部分。
　　4. 负载开关：在电源管理系统中实现负载的动态切换。
　　5. 电源管理：用作低压降开关或稳压器的一部分。
　　由于其优异的性能，BSS84/DG 广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统等领域。