时间：2025/6/23 10:47:26
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MA0201CG680G250是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备卓越的开关性能和较低的导通电阻，适用于多种电力电子设备，如电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动等。其封装形式紧凑，能够有效节省PCB空间，同时提供优异的散热性能。
型号：MA0201CG680G250
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：680V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：2.5A
导通电阻(Rds(on))：4.5Ω(典型值)
总功耗(Ptot)：17W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252
MA0201CG680G250具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，可承受高达680V的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，在额定条件下仅为4.5Ω，有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度，减小了开关过程中的能量损失。
4. 内置ESD保护电路，提高器件在实际使用中的可靠性。
5. 紧凑型TO-252封装，便于安装并提供良好的热管理性能。
6. 工作温度范围宽广，适应极端环境下的应用需求。
7. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这款芯片广泛应用于各类电力电子设备中，具体包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和AC-DC转换器，用于高效能量转换。
2. DC-DC转换器，支持电池供电设备及汽车电子系统。
3. 电机驱动电路，控制小型直流电机或步进电机。
4. 负载开关和保护电路，实现过流、过压保护功能。
5. 光伏逆变器和其他新能源相关设备。
6. 家用电器和工业自动化设备中的功率控制模块。
MA0201CG650G300
IRF640
FQP17N60
