时间：2025/8/13 20:53:39
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HBM21GP 是三星（Samsung）推出的一款高带宽内存（High Bandwidth Memory, HBM）产品，属于第二代HBM技术（HBM2）的改进版本。该内存技术通过3D堆叠结构和硅通孔（Through-Silicon Via, TSV）技术实现极高的数据传输速率和紧凑的封装尺寸，广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能加速器和网络设备等领域。HBM21GP 的设计目标是提供更高的带宽、更低的功耗以及更小的物理空间占用，以满足现代计算平台对内存性能的严苛需求。
容量：1GB/2GB/4GB/8GB（具体视产品型号而定）
带宽：最高可达2.4Gbps/pin
数据速率：最高可达2.4 Gbps
封装形式：3D堆叠DRAM
接口类型：并行多通道接口
工作电压：1.2V/1.35V（具体视工作模式）
温度范围：工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）
封装尺寸：因设计集成于封装内，具体尺寸由系统封装决定
HBM21GP 的核心优势在于其基于3D TSV技术的高带宽架构，使其在有限的空间内实现极高的数据吞吐能力。与传统的GDDR或DDR内存相比，HBM21GP 通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并与GPU或加速器芯片封装在一起，显著缩短了内存与处理器之间的物理距离，从而降低了信号延迟并减少了寄生电容效应。
此外，HBM21GP 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），以适应不同应用场景的功耗需求。其接口设计采用并行多通道架构，每个堆栈包含多个独立的通道，每个通道都有自己的控制、地址和数据总线，从而实现了极高的并行处理能力。
HBM21GP 主要用于需要高带宽、低延迟和紧凑封装的高性能计算和图形处理应用。例如，NVIDIA 和 AMD 的高端GPU广泛采用HBM2内存以提升图形渲染和计算性能。此外，HBM21GP 也适用于人工智能和机器学习加速器，如训练和推理专用芯片（如Google的TPU），因为这些应用需要极高的内存带宽来支持大规模并行计算任务。
HBM2E16G16A, HBM2E16G16C, HBM28G16C
