5R140P 时间：2025/6/11 13:39:13 阅读：7

5R140P是一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率开关和电源管理应用。该器件采用TO-252封装形式，具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻，适用于多种工业和消费类电子设备。
　　作为一款N沟道增强型MOSFET，5R140P通过栅极电压控制其源极与漏极之间的导通状态，广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等领域。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：32A
　　导通电阻（典型值）：5mΩ
　　总功耗：95W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

5R140P具有低导通电阻特性，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，它具备快速开关速度，可以满足高频应用的需求。
　　此外，该器件还拥有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。由于采用了TO-252小型表面贴装封装，因此非常适合需要高密度组装的应用场景。
　　它的高电流承载能力使得5R140P成为大功率应用的理想选择，例如开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器等。

应用

5R140P可应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关
　　2. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置
　　3. 负载开关和保护电路
　　4. DC-DC转换器
　　5. 电池管理系统（BMS）
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块
　　这些应用场景都依赖于5R140P出色的电气特性和可靠性。