MT35XU512ABA1G12-0AAT 是由 Micron Technology(美光科技)生产的一款 3D NAND 闪存芯片。该芯片采用先进的 TLC(Triple-Level Cell)技术,具备高密度存储能力。其主要用途为嵌入式存储设备、固态硬盘(SSD)以及移动设备中的数据存储。该型号支持高速接口,并具备低功耗特性,适用于对存储容量和性能要求较高的应用环境。
该芯片的封装形式为 BGA(球栅阵列封装),具有紧凑的外形设计,适合空间受限的应用场景。
容量:512Gb (64GB)
单元类型:TLC
接口:ONFI 4.0
电压:1.8V / 3.3V
封装:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
传输速率:高达 400 MT/s
擦写寿命:约 1000 次
数据保持时间:超过 1 年
MT35XU512ABA1G12-0AAT 的核心优势在于其高密度存储能力和较低的成本。它采用 3D NAND 技术,相比传统的平面 NAND,能够在相同物理尺寸下提供更高的存储容量。
此外,该芯片支持 ONFI 4.0 接口标准,确保了更快的数据传输速度和更低的延迟。其低功耗设计也使其成为便携式电子设备的理想选择。
由于使用 TLC 存储单元,虽然牺牲了一定的耐用性,但显著降低了单位成本,非常适合消费级市场应用。
在可靠性方面,该芯片经过严格的测试流程,确保在各种环境下均能稳定运行。
该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 嵌入式系统:如工业控制设备、网络通信设备等。
2. 移动设备:例如智能手机和平板电脑。
3. 固态硬盘(SSD):作为主存储介质,提供大容量和高性能。
4. 数据记录设备:如行车记录仪、监控摄像头等需要长期可靠存储的设备。
其高容量和低功耗的特点使其特别适合需要长时间运行且对电池依赖较高的设备。
MT35XU512ABA1G12-0ABT, MT35XU512ABA1G12-0ACF