时间：2025/8/2 5:01:34
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G1003A 是一款由QQ1540146生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-23-3封装，适用于高电压和中等电流的应用场景。这款器件设计用于高效能的电源管理和开关电路中。G1003A具有较高的耐压能力，最大工作电压为100V，最大连续漏极电流为5A，使其适用于多种电子设备，包括DC-DC转换器、负载开关和电源管理模块。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：5A
封装类型：SOT-23-3
栅极阈值电压：1.8V至3.0V
导通电阻（Rds(on)）：约0.65Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散：1.5W
输入电容（Ciss）：约120pF
G1003A的主要特性包括其高耐压能力和中等电流处理能力，适合于需要在较高电压下工作的电路设计。SOT-23-3封装使得该器件在PCB上的占用空间较小，同时提供了良好的散热性能。
此外，G1003A具有较低的导通电阻，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。其栅极阈值电压范围较宽（1.8V至3.0V），可以适应多种控制电路的需求。
该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，在恶劣的工作环境下也能保持稳定的性能。由于其封装和电气特性，G1003A非常适合用于便携式电子产品和小型电源设备中。
G1003A广泛应用于各种电源管理电路，如DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路以及LED驱动器等。它还可以用于电机控制和电源管理系统中的高侧或低侧开关。
在工业自动化和控制系统中，G1003A可用于驱动继电器、传感器和其他需要较高电压和电流的负载。其小尺寸封装和高性能特性也使其成为消费类电子产品中电源管理部分的理想选择。
2N7002K, FDS6680, AO3400
