类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：20A
　　漏源击穿电压（Vds）：500V
　　栅源击穿电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.21Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

FMB20N50E具有多项优异的电气和热性能，首先，其高耐压能力（Vds=500V）使其适用于中高功率应用，能够承受较高的电压应力。其次，该MOSFET的导通电阻较低，通常在Vgs=10V时仅为0.21Ω，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。
　　此外，FMB20N50E采用TO-220封装，具备良好的散热性能，可以在较高工作电流下维持较低的温升。该封装形式也便于安装和散热片连接，适用于多种PCB布局设计。同时，该器件具备较高的栅极稳定性，栅源电压范围可达±30V，增强了其在复杂开关环境中的可靠性。
　　在动态性能方面，FMB20N50E具备较低的输入电容（Ciss）和快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高响应速度，适用于高频开关应用。其内部结构优化了电场分布，提高了器件的雪崩击穿耐受能力，从而增强了整体的耐用性和稳定性。
　　最后，FMB20N50E符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计要求。该器件广泛用于电源适配器、LED照明驱动、电机控制器以及各种工业自动化设备中。

FMB20N50E适用于多种高功率电子系统，主要用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，能够有效处理较高的电压和电流需求。该器件也广泛应用于DC-DC转换器中，如Boost和Buck电路，以提高能量转换效率。
　　此外，FMB20N50E可用于电机驱动和控制电路，例如在无刷直流电机（BLDC）或步进电机控制系统中作为功率开关器件，提供稳定的电流控制和高效的能量传输。
　　在照明应用中，该MOSFET可用于LED驱动器，特别是在高压直流供电的LED照明系统中，提供稳定的开关控制和较高的能效表现。
　　工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及各种高功率负载切换电路也是FMB20N50E的典型应用场景。其优异的热管理和可靠性使其在长时间运行的工业设备中表现出色。

FQA20N50C, IRFGB40N50TD, FGL40N50FD, FSFR20N50A