IXFN120N25 时间：2025/8/6 8:34:40 阅读：14

IXFN120N25是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压和高电流的电力电子系统中。该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关特性，适用于如电源转换器、逆变器、电机控制和不间断电源（UPS）等需要高效能功率管理的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.035Ω（最大值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFN120N25的主要特性之一是其低导通电阻，这使得器件在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET的高电流处理能力使其能够承受较大的负载电流，适用于大功率应用。
　　另一个重要特性是其优异的热性能。该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。同时，其额定工作温度范围为-55°C至150°C，确保在各种环境条件下都能可靠工作。
　　IXFN120N25还具备快速开关能力，这使其在高频开关应用中表现出色。快速开关特性可以减少开关损耗，提高转换效率，尤其适用于需要高频操作的DC-DC转换器和AC-DC电源供应器。
　　此外，该MOSFET具有较高的耐用性和可靠性，适用于严苛的工作环境。其设计确保了在极端条件下仍能保持稳定的电气性能，从而延长了系统的使用寿命。

应用

IXFN120N25被广泛应用于多个高功率电子系统中，包括电源转换器、逆变器、电机驱动器和不间断电源（UPS）。在电源转换器中，它用于高效能的DC-DC和AC-DC转换，提供稳定的电压输出。在逆变器系统中，IXFN120N25用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器和电动车驱动系统。此外，该MOSFET还用于电机控制电路中，以实现高效能的电机调速和节能运行。在工业自动化和控制系统中，IXFN120N25也常用于高电流负载的开关控制，确保设备的稳定运行。