时间：2025/5/7 22:55:14
阅读：8
9DB106BGLFT是一种高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，非常适合用于电源管理、电机驱动和逆变器等场景。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，其工作电压范围较宽，能够满足多种工业和消费类电子产品的设计需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：85A
导通电阻：1.4mΩ
总功耗：130W
结温范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-247-3
9DB106BGLFT具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，可支持高达85A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，能够适应高频应用场景。
4. 良好的热稳定性，适用于高温工作环境。
5. 封装坚固耐用，便于散热设计。
6. 高可靠性和长寿命，适合长期运行的关键应用。
9DB106BGLFT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动电路中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器的核心功率转换元件。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
5. 各种DC-DC转换器和AC-DC适配器。
6. 高效负载开关和保护电路。
这款器件凭借其卓越的性能，在电力电子行业中备受青睐。
9DB106BGHLT, IRFB4110TRPBF, FDP5570N
