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IXGH20N60BU1 发布时间 时间:2025/8/6 11:26:10 查看 阅读:18

IXGH20N60BU1 是一款由IXYS公司制造的高功率双极型晶体管(BJT),属于绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列。这款器件被设计用于高电压和高电流的应用场合,具有低导通压降和快速开关特性,适用于诸如电机控制、电源转换、工业自动化和能源管理系统等高性能需求的电子系统。IXGH20N60BU1采用了TO-247封装,便于散热和在高功率应用中使用。

参数

类型:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
  最大集电极-发射极电压:600V
  最大集电极电流:20A
  封装类型:TO-247
  导通压降:约2.1V(在20A条件下)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  最大功耗:125W
  栅极驱动电压:+15V至-15V
  短路耐受能力:有
  工作频率:适用于高频开关

特性

IXGH20N60BU1 的主要特性包括优异的热性能和电气性能,这使其能够在高功率条件下稳定运行。其低导通压降减少了导通状态下的能量损耗,从而提高了整体系统效率。此外,该器件具备良好的短路耐受能力,可在极端条件下提供保护,防止器件损坏。快速的开关特性使其适用于高频开关应用,有助于减小外围电路的尺寸和成本。该IGBT还具有良好的抗过载能力,并能够在较宽的温度范围内工作,适应不同的应用环境。由于其TO-247封装的设计,IXGH20N60BU1易于安装和散热管理,适合工业级应用。

应用

IXGH20N60BU1 广泛应用于需要高功率处理能力的系统中,包括工业电机驱动、变频器、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊设备、感应加热系统以及太阳能逆变器等。其出色的电气性能和可靠性使其成为许多高要求应用中的首选器件。

替代型号

IXGH20N60BU1 可以使用以下替代型号,如 IXGH20N60C2D1 或 IXGH20N60B2U1。这些替代型号可能具有相似的电气特性和封装形式,但在使用前应仔细核对数据手册,以确保其符合特定应用的需求。

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IXGH20N60BU1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2V @ 15V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最大150W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件