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SB30-03T 发布时间 时间:2025/9/20 15:51:42 查看 阅读:7

SB30-03T是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用DPAK(TO-252AA)封装。该器件专为高效率、低压降整流应用设计,广泛用于开关电源、DC-DC转换器以及逆变电路中。SB30-03T集成了两个独立的肖特基二极管,每个二极管的平均整流电流可达15A,总电流能力为30A,因此在命名上体现了‘30’这一数值。其低正向电压特性有助于减少导通损耗,提高系统整体能效。该器件具有快速反向恢复时间,由于是肖特基结构,本质上无少子存储电荷,因此反向恢复过程非常迅速,几乎不存在反向恢复电流尖峰,适用于高频开关环境。此外,SB30-03T具备良好的热性能,得益于其TO-252封装设计,能够通过PCB有效散热,适合在紧凑型高功率密度电源设计中使用。该器件符合RoHS指令,属于绿色环保产品,并可在多种工业、消费类及通信电源系统中稳定运行。

参数

型号:SB30-03T
  制造商:Vishay Semiconductors
  封装/包装:TO-252AA(DPAK)
  二极管配置:双独立二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):30V
  最大直流阻断电压(VR):30V
  平均整流电流(单个二极管):15A
  总平均整流电流(IF(AV)):30A
  正向压降(VF):典型值0.54V(在15A, TJ=125°C)
  最大正向压降(VF(max)):0.62V(在15A, TJ=125°C)
  非重复峰值浪涌电流(IFSM):120A(单次8.3ms正弦波)
  反向漏电流(IR):最大2.0mA(在30V, TJ=125°C)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
  储存温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  热阻(RθJC):1.2°C/W(典型)
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

SB30-03T的核心优势在于其低正向压降和高电流处理能力,这使其在大电流、低电压输出的开关电源拓扑中表现出色。每个二极管可承载高达15A的平均整流电流,在并联或双路输出设计中可实现30A的总输出能力。其正向压降在高温条件下仍保持较低水平,例如在结温为125°C、电流为15A时,典型VF仅为0.54V,最大不超过0.62V,显著降低了导通期间的功率损耗,提升了电源转换效率。这种低VF特性源于肖特基势垒结构,利用金属-半导体接触形成整流结,避免了PN结中的少子注入与复合过程,从而实现了极快的开关速度和几乎为零的反向恢复时间。这意味着在高频DC-DC变换器或同步整流应用中,SB30-03T不会产生明显的反向恢复电流尖峰,减少了EMI干扰和开关管的应力,提高了系统的可靠性。
  该器件采用TO-252AA(DPAK)封装,具有优良的热传导性能。底部带有裸露焊盘,可通过PCB上的大面积铜箔将热量高效传导至外部环境,热阻RθJC典型值为1.2°C/W,使得即使在高负载条件下也能维持较低的结温。这种封装形式既支持自动化贴片生产,又具备较强的机械稳定性,适用于工业级严苛环境。此外,SB30-03T的工作结温范围宽达-65°C至+150°C,能够在极端温度条件下可靠运行,适用于汽车电子、工业控制和通信电源等对温度敏感的应用场景。器件还具备较高的浪涌电流承受能力,非重复峰值浪涌电流可达120A,增强了对瞬态过载的耐受性。所有这些特性共同使SB30-03T成为高性能电源系统中理想的整流元件选择。

应用

SB30-03T主要应用于需要高效率、大电流整流的电力电子系统中。它常见于开关模式电源(SMPS),尤其是在低压大电流输出的AC-DC适配器和工业电源中,作为次级侧整流二极管使用。在DC-DC降压或升压转换器中,SB30-03T可用于续流二极管或箝位二极管,其低正向压降显著降低能量损耗,提高转换效率。该器件也广泛用于服务器电源、电信设备电源模块以及嵌入式系统供电单元中,满足高功率密度和高可靠性的设计需求。在电池充电系统和便携式设备电源管理电路中,SB30-03T可作为防反接或隔离二极管,防止电流倒灌。此外,由于其优异的热性能和高浪涌电流能力,该器件适用于电动工具、UPS不间断电源和太阳能逆变器等工业应用。在汽车电子领域,尽管不是AEC-Q101认证器件,但在非车载动力系统但要求较高可靠性的辅助电源中也有应用潜力。总之,任何需要30V以内、大电流、低损耗整流的场合,SB30-03T都是一个强有力的技术选项。

替代型号

SR30-03T
  MBR30H30CT
  STPS30L30CT
  VS-30CPQ030

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