HAT1041T-EL 时间：2025/9/7 12:32:07 阅读：12

HAT1041T-EL 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的双路N沟道功率MOSFET芯片，广泛应用于汽车电子、工业控制以及需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用小型TSOP封装，适合空间受限的设计。HAT1041T-EL 集成了两个独立的N沟道MOSFET，支持同步整流和负载切换功能，具备低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET（双路）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6.0A（每个通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（典型值，@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.0W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：8

特性

HAT1041T-EL 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体能效。
　　该器件采用双路N沟道MOSFET结构，每个通道均可独立控制，适用于需要双向负载切换或同步整流的电路设计。
　　其TSOP封装形式不仅节省空间，而且具备良好的热性能，有助于在高功率密度设计中实现有效的散热管理。
　　此外，HAT1041T-EL 支持宽范围的栅极驱动电压，可在4.5V至20V之间正常工作，兼容多种控制电路和驱动器方案。
　　该MOSFET还具备较高的耐用性和稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行，因此特别适合用于汽车电子系统，如电动助力转向、车窗控制、座椅调节等应用。
　　同时，HAT1041T-EL 集成了过热保护和短路保护功能，提升了系统的安全性和稳定性。

应用

HAT1041T-EL 主要用于汽车电子系统，例如电动助力转向、车窗升降器、座椅调节系统、后视镜调节装置等需要高可靠性和高效率的电机驱动和负载切换场景。
　　在工业控制领域，该器件可用于伺服电机控制、自动化生产线设备、智能执行器等应用，提供高效、紧凑的功率切换解决方案。
　　由于其低导通电阻和小型封装，HAT1041T-EL 也适用于便携式设备和电池供电系统中的电源管理模块，如DC-DC转换器、负载开关、同步整流器等。
　　此外，该MOSFET还可用于LED照明系统中的开关控制、电机驱动电路、H桥电路以及各种需要双路独立功率控制的嵌入式系统中。