LTC3859 是一款高效率、同步降压型 DC/DC 控制器,专为驱动全氮化镓 (GaN) FET 或硅 MOSFET 而设计。该控制器提供高达 5A 的峰值输出电流,适合工业和通信应用中的高功率密度转换需求。其工作输入电压范围为 4.5V 至 60V,可支持多种电源系统配置。
LTC3859 支持恒定频率电流模式架构,并允许用户在 250kHz 至 900kHz 的范围内设置开关频率,或者通过外部信号实现同步。其独特的控制算法能够优化效率和瞬态响应性能,同时最大限度地减少输出电容需求。
输入电压范围:4.5V 至 60V
输出电流:高达 5A 峰值
开关频率范围:250kHz 至 900kHz
最大占空比:97%
参考电压精度:±1%(在整个温度范围内)
工作结温范围:-40°C 至 125°C
封装形式:TSSOP-28 封装
支持宽输入电压范围,适应多种电源场景。
内置栅极驱动器支持高效驱动 GaN 和 MOSFET 开关。
具备强大的保护功能,包括过流保护、短路保护、过温保护等。
提供精准的电压调节和快速瞬态响应能力。
支持外部时钟同步以减少电磁干扰 (EMI)。
低静态电流设计,有助于提高轻载效率。
提供可调软启动功能,降低启动浪涌电流。
工业设备中的电源转换模块。
通信基础设施的分布式电源系统。
汽车电子中的高效降压转换。
服务器和存储系统的多轨电源解决方案。
高可靠性应用中的中间总线转换器 (IBC) 设计。
LTC3859AIFE#TRPBF