类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOT-23
　　标称齐纳电压：3.3V
　　测试电流：20mA
　　最大齐纳电流：170mA
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　存储温度范围：-55℃至+150℃
　　动态阻抗（Zzt）：约90Ω（典型值）

MMBZ5226B 3V3具有优异的电压稳定性，能够在较宽的电流范围内保持稳定的输出电压。其低动态阻抗特性使得在负载变化时仍能维持良好的稳压性能。此外，该器件的温度系数较低，确保在不同温度环境下电压漂移最小化，适合用于高精度模拟电路和数字电路中的电压参考。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化贴片生产，广泛应用于便携式设备、电源管理模块、通信设备等领域。
　　MMBZ5226B采用硅半导体技术制造，具有良好的长期稳定性和可靠性。其最大功耗为300mW，允许在较高电流下工作，满足多种电路设计需求。该器件的反向漏电流在额定电压以下非常小，通常在纳安级别，有助于降低静态功耗。此外，MMBZ5226B的响应速度快，能够迅速抑制电压波动，适用于需要快速稳压反馈的电路。

MMBZ5226B 3V3 主要用于低压直流稳压电路中作为参考电压源或稳压元件，例如在DC-DC转换器、LDO稳压器、电池管理系统、电源监控电路中提供稳定的3.3V基准电压。此外，它也适用于信号调理电路、A/D转换器参考电压、电压检测电路以及各类嵌入式系统的电源设计中。由于其良好的温度特性和稳定性，该器件也常用于工业控制、汽车电子、消费类电子产品和通信设备中。
　　在电路保护方面，MMBZ5226B还可用于防止过电压对敏感电路造成损害，例如在USB接口、传感器输入端或通信总线（如CAN、RS-485）中作为电压钳位保护器件。其快速响应特性使其能够有效吸收瞬态高压，保护后级电路免受损坏。

MMSZ5226B-TP, BZX84C3V3, TLV431B