KTC3875S-Y-RTK/PU 是一款由KEC(东芝半导体)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺制造,具备优良的导通特性和开关性能,适用于各类电源管理系统,如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等场景。该MOSFET采用SOP(Small Outline Package)封装形式,适用于高密度电路设计。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):30V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A(在25℃下)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55℃~150℃
导通电阻(Rds(on)):约2.8mΩ(典型值)
封装类型:SOP
KTC3875S-Y-RTK/PU 具备低导通电阻特性,有助于降低功率损耗,提高整体系统效率。其先进的平面工艺和优化的芯片设计确保了稳定的开关性能和热稳定性,适用于高频率开关应用。此外,该器件具有较高的电流承载能力和良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。
此MOSFET还具备优良的抗雪崩能力和过载保护特性,提高了器件的可靠性和使用寿命。其SOP封装形式不仅节省空间,而且便于表面贴装工艺(SMT),提高了PCB布局的灵活性和电路板的整体性能。
由于其高集成度和优异的电气性能,KTC3875S-Y-RTK/PU 在电源管理、汽车电子、工业控制和消费类电子产品中得到了广泛应用。
KTC3875S-Y-RTK/PU 主要应用于以下领域:
1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、同步整流器和电源分配系统。
2. 电动工具和电池管理系统:用于高电流开关和负载控制。
3. 工业自动化和电机驱动:适用于高频率、高效率的电机控制电路。
4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块。
5. 汽车电子:用于车载充电系统、电动助力转向系统和车灯控制系统。
KTC3875S-Y-RTK/PZ
SiS6210DN
IRF1010E
AON4701