型号：H9TQ18ABJTMCPR
　　存储容量：2Gb（Gigabit）
　　封装类型：FBGA
　　数据速率：约166MHz/200MHz/266MHz（根据具体版本）
　　工作电压：1.7V - 3.3V（根据不同版本）
　　数据宽度：16位
　　接口类型：异步/同步（根据具体版本）
　　温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
　　封装尺寸：54-ball FBGA

H9TQ18ABJTMCPR是一款专为高性能、低功耗应用场景设计的DRAM芯片，具有出色的稳定性和可靠性。该芯片支持多种数据速率，可根据系统需求选择不同的频率模式，从而在性能与功耗之间实现良好的平衡。其FBGA封装技术不仅提高了封装密度，还减少了信号干扰，增强了散热性能，适用于空间受限的便携式设备。
　　这款DRAM芯片的异步或同步接口支持多种控制器配置，使其能够灵活适应不同的系统架构。其16位数据总线宽度能够提供较高的数据带宽，满足图像处理、视频播放、操作系统运行等对内存性能有较高要求的应用需求。
　　此外，H9TQ18ABJTMCPR的工作电压范围较宽（1.7V至3.3V），使其能够在不同的电源管理策略下运行，进一步优化系统的功耗表现。该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于复杂的工业和车载环境。

H9TQ18ABJTMCPR广泛应用于需要高效内存处理能力的便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑、穿戴设备、数码相机、多媒体播放器和便携式游戏机等。此外，它也常用于嵌入式系统、工业控制设备、医疗电子设备以及车载导航系统等对内存性能和可靠性有较高要求的领域。

H9TQ17ABJTMCPR-25C, H9TQ18ABJTMCPR-KUM, H9TQ2G8UBJMCPR-25C