时间：2025/8/24 21:15:55
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4001B 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率应用。该器件采用TO-220AB封装，适用于各种电源管理与转换系统。4001B设计用于高电流和高电压的应用环境，具有低导通电阻、良好的热稳定性和耐用的封装结构。它在电源开关、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备中均有广泛应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：4.4A（在25°C）
漏源导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功耗（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220AB
4001B MOSFET具有多项优异特性，使其在多种高功率应用中表现出色。首先，其最大漏源电压可达500V，支持在高电压环境下稳定工作，非常适合用于高压电源系统。其次，该器件的最大漏极电流为4.4A，在高电流条件下依然能保持良好的性能，适合用于中等功率的开关电路。此外，4001B的漏源导通电阻（Rds(on)）为1.6Ω，虽然相较于现代低Rds(on) MOSFET略高，但在500V级别的器件中仍属于合理范围，能够有效减少导通损耗并提高整体效率。
栅极阈值电压范围为2V至4V，使得该器件可由常见的逻辑电平驱动，例如由微控制器直接控制，从而简化电路设计。同时，4001B具备良好的热稳定性，其最大功耗为50W，能够在较高温度环境下正常运行。TO-220AB封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度和可靠性，适用于工业级应用。
这款MOSFET还具备快速开关特性，适用于需要高频操作的电源转换系统，如DC-DC转换器和开关电源（SMPS）。其耐用性和稳定性也使其成为电机控制和照明系统中的理想选择。
4001B MOSFET因其高电压和中等电流能力，广泛应用于多种电源管理及功率控制领域。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明系统、电机驱动电路、家用电器电源控制模块以及工业自动化设备中的功率开关。此外，它还可用于电池充电器、逆变器以及各种高电压低电流的电子负载控制系统。
STP4NK50Z、STP5NK50Z、IRF840、IRF740
