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DMN2053UVT 发布时间 时间:2025/6/4 18:29:14 查看 阅读:6

DMN2053UVT是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET,采用超小型DFN1610-6封装。该器件以其低导通电阻和高开关速度著称,适用于需要高效能功率管理的应用场景。其工作电压范围为-0.3V至30V,适合在多种电源管理和负载切换应用中使用。
  DMN2053UVT的设计注重提升效率并减少功率损耗,使其成为便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制等领域的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.7A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷:2.8nC
  总电容:35pF
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

DMN2053UVT具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高整体效率。
  2. 小型化封装设计(DFN1610-6),非常适合空间受限的应用。
  3. 高速开关性能,可满足高频工作的需求。
  4. 支持大电流操作,能够在较高负载条件下保持稳定。
  5. 较宽的工作温度范围,确保了在各种环境下的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

DMN2053UVT适用于以下应用场景:
  1. 移动设备中的负载开关。
  2. 消费类电子产品的电源管理模块。
  3. 工业自动化设备中的信号切换。
  4. LED驱动器和背光调节电路。
  5. 电池供电设备中的节能方案。
  6. 各种便携式电子设备中的DC/DC转换电路。

替代型号

DMN2053SCT, DMN2053UCK

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