IRFH7084 时间：2025/12/24 11:11:34 阅读：25

IRFH7084 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，并支持表面贴装工艺。
　　该 MOSFET 的工作电压范围较广，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。

参数

最大漏源电压 (Vds)：60 V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
　　连续漏极电流 (Id)：39 A
　　导通电阻 (Rds(on))：1.5 mΩ（典型值，当 Vgs = 10V 时）
　　栅极电荷 (Qg)：29 nC
　　输入电容 (Ciss)：1270 pF
　　反向恢复时间 (trr)：40 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C

特性

IRFH7084 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　2. 高速开关性能，得益于较低的栅极电荷 Qg 和快速的反向恢复时间 trr。
　　3. 较高的漏极电流承载能力，确保在大电流应用中稳定运行。
　　4. 宽工作电压范围，适应多种电路设计需求。
　　5. 采用无铅环保封装，符合 RoHS 标准。
　　6. 可靠性高，能够在恶劣环境下长期工作。

应用

IRFH7084 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. 高效 DC-DC 转换器的核心功率级元件。
　　3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
　　4. 各种负载开关和保护电路。
　　5. 工业控制设备中的功率转换模块。
　　6. 汽车电子系统中的电池管理单元 (BMU) 和逆变器驱动。
　　由于其高性能和可靠性，这款 MOSFET 在现代电力电子设计中备受青睐。

替代型号

与 IRFH7084 性能接近的替代型号有：
　　1. Infineon - IPP060N06N3L
　　2. ON Semiconductor - NTMFS4837NL
　　3. STMicroelectronics - STP36NF06L
　　4. Fairchild (现属 ON Semiconductor) - FDP067N06A
　　选择替代品时，请根据具体应用需求对比各型号的关键参数，如 Rds(on)、Qg 和 Id 等，并确认其封装兼容性。