SKM200GAH123DKLD 是一款由赛米控(SEMIKRON)制造的高功率IGBT模块,广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。该模块集成了多个IGBT(绝缘栅双极晶体管)和反向并联的二极管,采用先进的封装技术和半导体技术,提供出色的热性能和电气性能。SKM200GAH123DKLD 主要用于工业电机驱动、可再生能源系统、电动汽车充电设备等高功率场合。
型号:SKM200GAH123DKLD
制造商:SEMIKRON
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):200A
最大工作温度:150°C
短路耐受能力:典型值10μs
封装类型:双列直插式(Dual)
配置:半桥(Half Bridge)
导通压降(VCEsat):典型值2.1V
热阻(Rth):0.28 K/W
隔离电压:2500Vrms
符合RoHS标准:是
SKM200GAH123DKLD 以其卓越的性能和可靠性著称,适用于各种高功率应用环境。该模块采用先进的IGBT芯片技术,具有较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体系统效率。此外,模块内部采用了高耐热材料和优化的封装设计,使其具有优异的热管理能力,能够在高功率密度环境下稳定工作。其半桥配置提供了灵活的使用方式,可以满足多种拓扑结构的需求。模块还具备较高的短路耐受能力,可在异常工况下提供额外的保护。此外,该模块的封装设计符合IP20防护等级,具备良好的电气隔离性能,确保了在高压应用中的安全性。
在散热设计方面,SKM200GAH123DKLD 采用了高效的散热路径,热阻值仅为0.28 K/W,能够有效将热量传导至外部散热器,从而延长器件寿命并提高系统稳定性。模块的封装结构也优化了机械强度,能够在恶劣的工业环境中保持稳定运行。同时,该模块符合RoHS环保标准,不含任何有害物质,符合现代工业对环保的严格要求。
为了提高系统的整体可靠性,SKM200GAH123DKLD 在制造过程中采用了高质量的材料和严格的生产工艺控制,确保每个模块在出厂前都经过严格的测试和筛选。这些措施保证了模块在长期运行中具有较高的稳定性和一致性。
SKM200GAH123DKLD 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动(如变频器和伺服驱动器)、可再生能源系统(如光伏逆变器和风力发电变流器)、电动汽车充电设备、储能系统以及电能质量调节装置等。在这些应用中,该模块能够高效地处理大电流和高电压,同时保持较低的损耗和良好的热稳定性。此外,它也可以用于轨道交通、智能电网以及工业自动化等领域的高功率电子设备中。
SKM200GB123D | SKM200GB123DL | SKM200GAH123D