时间：2025/9/1 23:16:03
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H9HKNNNECMMUJR-NMH 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高端计算、服务器、网络设备以及消费类电子产品中。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，具备低功耗、高速度和高集成度的特点。这款DRAM芯片通常采用BGA（球栅阵列）封装，适用于移动设备、笔记本电脑、平板电脑以及其他需要高效能内存的嵌入式系统。
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：4GB
封装：BGA
频率：3200Mbps
电压：1.1V
数据总线宽度：16位
工作温度：-40°C至+85°C
H9HKNNNECMMUJR-NMH 具备多项先进的技术特性，使其在现代电子设备中表现出色。首先，它属于LPDDR4标准，相比前代LPDDR3，数据传输速率提升显著，最高可达3200Mbps，能够有效支持高性能计算需求。其次，该芯片采用1.1V的低电压设计，显著降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间，并减少了热量的产生。
该芯片采用BGA封装技术，具有更小的体积和更优良的散热性能，适用于高密度PCB布局。此外，H9HKNNNECMMUJR-NMH支持多种低功耗模式，如深度掉电模式、自刷新模式等，进一步优化了系统的能效表现。
在可靠性方面，该DRAM芯片具备良好的温度适应性，工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于严苛的工业和车载环境。其内部结构采用先进的DRAM工艺，提升了数据存储的稳定性和访问速度，确保在高负载应用场景下依然保持稳定运行。
H9HKNNNECMMUJR-NMH 主要应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备，如智能手机、平板电脑、超极本、嵌入式系统以及工业控制设备。此外，该芯片也广泛用于网络设备、服务器模块以及车载信息娱乐系统等领域，满足对内存带宽和能效要求较高的应用场景。
H9HKNNNECMMUJR-NMH的替代型号包括H9HKNNNEDMMUJR-NMH、H9HKNNNEBMMUJR-NMH以及H9HKNNNEFMMUJR-NMH等，具体选择需根据系统设计需求和PCB布局进行匹配。
