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NTD40N03R 发布时间 时间:2025/6/5 12:31:06 查看 阅读:29

NTD40N03R是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,能够满足各种功率转换需求。
  该MOSFET适用于要求高效能和低功耗的电路设计场景,其卓越的电气性能使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):6.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关时间:ton=17ns, toff=18ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

NTD40N03R具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗。
  2. 快速开关能力,有助于提升系统效率。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 小型化TO-252封装,节省PCB空间并简化散热设计。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

该MOSFET适合用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的功率转换级控制。
  2. 电池管理系统中的负载切换。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 各类DC/DC转换器及逆变器的设计。
  5. 其他需要高性能开关器件的领域。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF03L
  FDP55N06

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NTD40N03R参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压25 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流45 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0126 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Tube
  • 下降时间3.5 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)20 S
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.1 W
  • 上升时间19.5 ns
  • 工厂包装数量75
  • 典型关闭延迟时间16.7 ns