时间：2025/9/2 10:38:43
阅读：22
HY628400ALLT2-55是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片设计用于需要高速数据访问的应用，具备较高的可靠性和稳定性。HY628400ALLT2-55的存储容量为512Kbit，组织形式为64K x 8位。该器件广泛应用于网络设备、工业控制系统、通信设备以及高端消费电子产品中。该SRAM芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗，适用于商业级和工业级环境。
容量：512 Kbit
组织结构：64K x 8
电源电压：3.3V或5V可选
访问时间：55ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：0°C至70°C（商业级）或-40°C至85°C（工业级）
数据保持电压：1.5V至Vcc
最大工作电流：约120mA（典型值）
封装引脚数：54
封装尺寸：标准TSOP尺寸
读写操作模式：异步模式
输出使能（OE）：低电平有效
写使能（WE）：低电平有效
片选信号（CE）：低电平有效
HY628400ALLT2-55是一款高性能异步SRAM，具有55ns的快速访问时间，适用于对响应速度要求较高的系统。该芯片采用低功耗CMOS工艺制造，支持多种电源电压选择（3.3V或5V），使其能够灵活地集成到不同的电路设计中。在数据保持模式下，仅需1.5V以上的电压即可维持数据不丢失，适合用于电池供电或低功耗待机系统。
此外，HY628400ALLT2-55具备较强的抗干扰能力，支持工业级温度范围，确保在各种环境条件下稳定运行。其TSOP封装形式有助于减小PCB板空间占用，提高系统集成度。芯片内部采用全静态设计，无需刷新操作，简化了系统控制逻辑。
该SRAM还具有双向数据总线，支持高速数据读取和写入操作。其控制信号包括片选（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE），均可通过低电平触发，便于与多种微处理器和控制器接口兼容。整体而言，HY628400ALLT2-55在性能、功耗和可靠性方面达到了良好的平衡，适用于多种嵌入式系统和高速缓存应用。
HY628400ALLT2-55 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存取的场景。常见的应用包括网络交换设备、路由器和通信模块的缓存存储；工业控制系统的临时数据存储；测试仪器和测量设备的缓冲区；以及嵌入式系统的高速缓存。此外，它也常用于图形处理器、打印机缓冲、汽车电子控制系统等需要快速响应的场景。由于其低功耗和宽温特性，HY628400ALLT2-55也可用于便携式设备和户外通信设备。
CY62148BLL-55ZXI, IS62LV256AL-55TLI, A62D1024A20DI-RL, HY628400ALFT2-55
