时间：2025/9/2 3:59:55
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H9HCNNNBPUMLHR-NLE 是由SK hynix生产的一款高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）产品，广泛用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）以及人工智能（AI）加速器等对内存带宽和容量有高要求的应用场景。该芯片采用堆叠式封装技术（PoP，Package on Package）和硅通孔（TSV，Through-Silicon Via）技术，以实现高带宽和小尺寸的特性。
类型：HBM2（High Bandwidth Memory 2）
容量：8GB（Gigabytes）
带宽：307GB/s（Gigabytes per second）
频率：2.4Gbps（Gigabits per second）
封装：PoP（Package on Package）
引脚数量：1024个
电源电压：1.3V
工作温度范围：0°C至+95°C
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 的主要特性包括极高的数据传输速率、低功耗设计、紧凑的封装尺寸以及出色的热管理性能。其采用的HBM2技术通过3D堆叠和TSV技术实现了显著提升的内存带宽，同时减少了PCB占用空间，降低了信号传输延迟。此外，该芯片的PoP封装方式使其能够直接堆叠在GPU或其他主芯片上方，从而进一步优化系统设计。其低功耗特性也使其非常适合用于对功耗敏感的高性能计算和图形处理应用。
在数据完整性方面，该内存支持ECC（Error Correction Code）功能，能够自动检测并纠正单比特错误，提高系统的稳定性与可靠性。其模块化设计也便于扩展和维护，满足高端计算设备对内存容量和性能的持续增长需求。
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 主要用于需要高带宽和低延迟内存的高性能计算系统，如AI训练和推理加速卡、高端图形显卡（GPU）、数据中心服务器、深度学习加速器、超级计算机以及科学计算设备等。此外，它也适用于需要高带宽内存的网络设备和嵌入式视觉处理系统。由于其优异的性能，该内存芯片广泛应用于NVIDIA、AMD等厂商的高端GPU产品中，为复杂的计算任务提供强大的内存支持。
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 可以被以下型号替代，如H9HCRNNCCTMLHR-NME（HBM2 8GB 2.4Gbps）、H9HCNNNBPUMLHR-NLE-A（相同规格但不同封装或温度等级）、以及HBM2系列的其他兼容型号。在替代选型时需注意带宽、容量、封装形式以及主控芯片的兼容性要求。
