时间：2025/9/2 11:04:30
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H9HCNNN8KUMLHR-NME是一种高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，通常用于需要高速数据访问的嵌入式系统和工业级设备中。这款芯片由SK Hynix公司生产，提供大容量存储和可靠的性能表现。它采用先进的半导体制造工艺，支持多种低功耗模式，适合在复杂环境下运行。
类型：DRAM
容量：256MB
组织结构：x16位
工作电压：1.35V
接口类型：DDR3 SDRAM
时钟频率：最高支持800MHz
封装形式：BGA（球栅阵列封装）
工作温度范围：-40°C至+85°C
刷新周期：64ms
数据速率：1600Mbps
功耗：低功耗设计，支持自刷新模式
H9HCNNN8KUMLHR-NME具有多项先进的特性，使其适用于高性能嵌入式系统和工业应用。该芯片采用DDR3接口技术，提供高达1600Mbps的数据传输速率，能够满足对数据吞吐量要求较高的应用场景。其1.35V的低电压设计不仅降低了整体功耗，还减少了热量的产生，提高了系统的稳定性。
这款DRAM芯片的容量为256MB，采用x16位的数据宽度，使得其在存储密度和性能之间达到了良好的平衡。BGA封装形式提供了更好的散热性能和更高的连接可靠性，非常适合长时间运行的工业设备。
此外，H9HCNNN8KUMLHR-NME支持多种低功耗模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，可以在系统闲置时显著降低能耗。这种灵活性使其在电池供电设备和需要节能设计的应用中具有明显优势。
其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了芯片能够在恶劣的环境条件下稳定运行，无论是高温还是低温环境都能保持良好的性能。
H9HCNNN8KUMLHR-NME广泛应用于各种高性能嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中。例如，它可用于工业计算机、嵌入式多媒体系统、智能监控设备、通信基站和车载信息娱乐系统等场景。由于其高可靠性和低功耗特性，这款芯片特别适合用于需要长时间稳定运行和节能设计的设备。
H9TNNNJ8KUMCJR-NME, H5TQ2563FFR-H9C0, MT48LC16M2A2B4-6A
