制造商：Walsin Technology Corporation
　　产品系列：WR
　　封装/外壳：0603（1608 公制）
　　电容：10μF
　　额定电压：6.3V DC
　　温度特性：X5R（-55°C ~ +85°C，±15%）
　　电容容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　介质材料：X5R陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　高度：约0.8mm
　　长度：1.6mm
　　宽度：0.8mm
　　老化率：≤2.5%每十年（在+25°C下）
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降（典型X5R特性）
　　ESR（等效串联电阻）：低（具体值依频率而定）
　　自谐振频率：取决于应用电路及PCB布局

WR08X5R1JTL作为一款高性能的多层陶瓷电容器，其核心优势在于在紧凑的0603封装中实现了10μF的大容量存储能力，这得益于华新科在陶瓷介质配方与薄层堆叠技术上的持续优化。X5R介质材料赋予其良好的温度稳定性，在-55°C至+85°C的工作范围内，电容值的变化控制在±15%以内，适用于大多数工业与消费类应用场景。尽管X5R材料的性能不及C0G/NP0类型电容那样稳定，但其更高的介电常数使得在相同体积下可实现更大的电容值，因此在成本与性能之间取得了良好平衡。
　　该电容器具备较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升其在高频去耦和噪声滤波中的效率，尤其适用于为数字IC（如MCU、FPGA、ASIC）提供稳定的电源供应。此外，由于其表面贴装设计，能够很好地兼容自动化贴片生产线，提高组装效率并降低制造成本。值得注意的是，这类高容值MLCC在施加直流偏压时会出现明显的电容衰减现象——例如在接近6.3V额定电压时，实际可用电容可能仅为标称值的50%~70%，因此在电路设计中必须参考厂商提供的DC偏压曲线进行降额使用。
　　WR08X5R1JTL还具备良好的抗湿性和热循环耐久性，经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TCT）和耐焊接热测试，确保在复杂环境下的长期稳定性。其无磁性特性也使其适用于对电磁干扰敏感的应用场合。整体而言，该器件在小型化、高容量、稳定性和可靠性方面表现均衡，是当前主流电子设计中广泛应用的被动元件之一。

WR08X5R1JTL广泛应用于各类需要电源去耦、信号滤波和储能功能的电子电路中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常用于为处理器、内存模块和射频前端芯片提供局部能量存储，以应对瞬态电流需求，减少电源噪声，提升系统稳定性。在电源管理系统中，该电容器可用于DC-DC转换器的输入和输出滤波环节，有效平滑电压波动，抑制开关噪声，提高电源转换效率。
　　在通信设备领域，包括Wi-Fi模块、蓝牙模块和蜂窝通信模组，WR08X5R1JTL可用于旁路高频干扰，保障信号完整性。此外，在工业控制板、传感器接口电路和嵌入式控制系统中，该器件也常被用作去耦电容，防止数字信号切换引起的电压扰动影响模拟部分性能。由于其小型化特点，特别适合空间受限的设计场景，如TWS耳机、智能手表和微型物联网节点设备。
　　在汽车电子方面，虽然该型号未专门认证为AEC-Q200级别，但在非关键性的车载信息娱乐系统或辅助模块中仍有一定应用。同时，因其符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。总体来看，该电容器凭借其高性价比和可靠的电气性能，已成为众多中低端到中高端电子产品中的标准配置元件之一。

GRM188R71C106ME15D
　　CL10A106MP8NNNC
　　C1608X5R1C106K