时间：2025/5/31 0:06:22
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LGC26D105MAT2S1是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压MOSFET晶体管，采用SuperFET II技术。该器件具有低导通电阻、高效率和出色的开关性能，广泛应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、LED驱动器和适配器等。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，其设计目标是实现更高的能效和更小的解决方案尺寸。通过优化的制造工艺，它在高频开关应用中表现出色，并且能够支持较高的负载电流。
型号：LGC26D105MAT2S1
封装：TO-252(DPAK)
Vds（漏源电压）：100V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.8mΩ
Id（持续漏极电流）：93A
Qg（总栅极电荷）：26nC
EAS（雪崩能量）：79mJ
fT（特征频率）：3.5MHz
Vgs(th)（栅极阈值电压）：2.5V
LGC26D105MAT2S1的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保了较低的传导损耗，从而提高了整体效率。
2. 超级结技术的应用，使其能够在高频工作条件下保持高效的开关性能。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 小型化的DPAK封装，有助于减少PCB空间占用。
5. 符合RoHS标准，满足环保要求。
6. 可靠的电气特性和热性能，适合各种严苛的工作环境。
LGC26D105MAT2S1适用于多种电力电子应用，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 工业控制设备中的电机驱动电路。
3. LED照明系统的恒流驱动。
4. 通信电源及服务器电源模块。
5. 电池充电器和适配器。
6. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
LGC26D085MAW2S1, LGC26D105MAW2S1
