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DMP3065LVT-7 发布时间 时间:2025/3/21 10:48:59 查看 阅读:13

DMP3065LVT-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型化封装设计,适合于高密度电路板布局。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,使其非常适合应用于负载开关、同步整流、DC-DC 转换器以及其他功率管理场景。
  此型号由 Diodes 公司生产,广泛用于消费电子、通信设备及工业控制领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:8.6A
  导通电阻:14mΩ
  栅极电荷:20nC
  总电容:10pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:DFN3x3-8

特性

DMP3065LVT-7 的主要特点是其低导通电阻 (Rds(on)) 和紧凑的封装尺寸。这使得它能够在高频开关应用中减少功耗并提升效率。此外,它的快速开关速度有助于降低开关损耗,而较高的工作温度范围则确保了其在极端环境下的可靠性。
  该器件还具备出色的热性能,能够有效散发运行过程中产生的热量,从而延长使用寿命。同时,由于采用了无引脚的表面贴装封装 (DFN),它可以显著节省 PCB 空间,特别适合便携式电子产品。

应用

1. 手机和平板电脑中的负载开关
  2. 笔记本电脑适配器内的同步整流
  3. USB 电源传输 (PD) 控制器
  4. 小型 DC-DC 转换器模块
  5. 电池管理系统中的保护电路
  6. LED 驱动器中的功率调节

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DMP3065LVT-7参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.9A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)42 毫欧 @ 4.9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)587 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TSOT-26
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6